首先先来看一个芯片的切面图。

图片中的M1（MetalLayer1，金属层1），M2，M3和M4指的是横向的金属连接线共四层；只有横向的线没有纵向的连接也是不行的，所以图中的Via（不知道怎么解释，百度给的意思是通过，经过）就是纵向的连接，把金属层连接起来从而实现整颗芯片的功能。实际上在金属导线的制造过程中（铜工艺）Via1和M1是同时做出来的。对于铜工艺的话工艺流程如下：

刻蚀掉需要做导线的地方（Etch）阻隔层（PVD-BarrierLayer）粘合层（PVD-AdhersionLayer）种子层（PVD-SeedLayer）电镀（ECP-Electro-ChemicalPlating）化学机械研磨（CMP-Chemical-MechanicalPolishing）同时做出Via和Metal的方法成为双大马士革工艺（Dual-Damascene）

这种工艺在铜这种金属上已经发挥到了极致，但是随着关键尺寸（CritialDimension-CD）越来越小，特别是到了7nm之后，由于铜这种材料的性质（可参考之前文章）已经越来越不适合来做金属导线，所以钴就被发现并替代了铜。